cpc對中系統 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG

控制單元（Control Unit）負責程序的流程管理。正如工廠的物流分配部門，控制單元是整個CPU的指揮控制中心，由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令譯碼器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)三個部件組成，對協調整個電腦有序工作極為重要。

控制單元是實現一種或多種控制規律的控制儀表或控制部件。如：多路傳輸控制單元、代理設置控制單元。

cpc對中系統 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG

cpc對中系統 控制單元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德國 EMG 220AC 50MA 含操作面板 DCU 02

電位計 EVK2-403 EMG

CPC控制板小 SGC1000-2.1 P/N:CA003008,8/N:90693

CPC控制主板大 SGC1000-2.2.P/N:CA003005.SH:10773 

cpc對中系統 控制單元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德國 EMG 220AC

  高頻光源發射器 LLS 1275/01EMG

EMG線性光源發射器    LID2-800.32C 備件號：C019006

 對中光源1075

線性光源發射器LLS675/01

高頻光源LLS875/02

uS 675/11 Lchtband 品牌:EMG     CPC光源

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌：EMG 

EMG對中線性光源發射器：LID2-800.2C元件編號：C019005

EMG線性光源發射器LLS875/01

EMG光源\LLS1075/01 

線性光源發射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A 

EMG高頻光源發射器LIC1075/11 

光源/L1C770/01-24VDC/3.0A 

無論哪一個種類的控制單元，原理均為通過控制單元發出的控制信號對CPU各個部分加以控制。控制單元大體可以分為以下兩類。

• 微程序式，由微程序讀取和發出控制信號。通過被稱為微型定序器的簡單數字通路（微型電腦）對微程序加以執行。 [1]
• 硬件型控制單元。由數字通路直接發出控制信號。由于集成電路的規模化及設計技術的進步，此種控制單元已成為可能。

• 它根據用戶預先編好的程序，依次從存儲器中取出各條指令，放在指令寄存器IR中，通過指令譯碼(分析)確定應該進行什么操作，然后通過操作控制器OC，按確定的時序，向相應的部件發出微操作控制信號。操作控制器OC中主要包括節拍脈沖發生器、控制矩陣、時鐘脈沖發生器、復位電路和啟停電路等控制邏輯。

EMG LS13.01測量光電傳感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器

EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG

LS14.01 EMG 測量光電傳感器

EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高頻報警光發射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 對中光源發射器

EMG LID2-300.2C 對中光源發射器

EMG LLS 1075 線性光源發射器

EMG LLS 1075/01 線性光源發射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 線性光源發射器

EMG LLS 675/01 線性光源發射器

EMG 線性光源發射器 LLS875/01

EMG對中光源發射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 線性光源發射器

EMG LIC1075/11光源發射器

EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50

EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源發射器

EMG  LIC770/01 光源發射器

EMG LIC1075/01 光源發射器

EMG LIC770/11  CPC高頻光源

EMG LID2-800.32C 對中光源發射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英國W·史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到二十世紀50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能，就能夠產生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得： λc=1.24/Ei 式中Ei代表雜質能級的離化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導體材料研制成功,并進入實用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成響應波長為 8～14微米大氣窗口的紅外探測器。它與工作在同樣波段的Ge：Hg探測器相比有如下優點：

工作溫度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K；本征吸收系數大,樣品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。

EMG LLS 1275/01 高頻光源發射器LICHTBAND